1、砂轮划片
砂轮切割机通过空气静压电主轴使刀片高速旋转，实现材料强力磨削。所用刀片镀有金刚砂颗粒，金刚砂的莫氏硬度为10级，只比硬度9.5级的SiC稍高，反复低速磨削不仅费时，而且费力，同时也会导致刀具的频繁磨损。例如，100mm(4英寸)的SiC晶片，一片一片地切割需要6~8小时，容易成为碎片的原因。因此，这种传统的低效加工方式逐渐被激光切割所取代。
2、激光全划
激光划线是指用高能激光束照射工件表面，使被照射区域局部熔融气化，除去材料，实现切割的过程。激光划线非接触加工，无机械应力损伤，加工方式灵活，无刀具损耗和水污染，设备使用维护成本低。为了防止激光穿透晶片时对支撑膜造成损伤，采用高温烧蚀的UV膜。
目前激光划线设备采用工业激光，波长主要有1064nm、532nm、355nm三种，脉冲宽度为纳秒、皮秒、飞秒级。理论上，激光波长越短、脉冲宽度越短，加工热效应越小，有利于精细精密加工，但成本相对较高。355nm紫外纳秒激光由于技术成熟、成本低、加工热效应小，应用十分广泛。近年来，1064nm皮秒激光技术发展迅速，应用于许多新领域，取得了很好的效果。图1、图2分别比较了两种激光对SiC晶片的切割效果。
3、激光半切
激光划线适用于理性优良的材料加工，用激光划线到一定深度后，采用裂片方式，产生沿切割道纵向延伸的应力使芯片分离。该加工方式效率高，不需要贴膜去除膜工序，加工成本低。但是，如图3所示，碳化硅晶片的解理性差，不易产生裂片，裂纹面易缺损，横切部分仍存在熔渣粘连现象。
4、激光隐形切割
激光划线将激光聚焦在材料内部，形成改性层后，通过裂片或扩膜分离芯片。表面无粉尘污染，材料几乎无损耗，加工效率高。实现隐形切割的两个条件是材料对激光透明，足够的脉冲能量产生多光子吸收。
碳化硅在室温下的带隙能量Eg约为3.2eV，为5.1310-19J。1064nm激光光子能量E=hc/=1.8710-19J。可见，1064nm激光光子能小于碳化硅材料的吸收带隙，表现出光学透明的特性，满足不可见的划线条件。实际透射率与材料的表面特性、厚度、掺杂剂种类等因素有关，以厚度300m的碳化硅抛光晶片为例，实测1,064nm的激光透射率约为67%。使用脉冲宽度极短的皮秒激光，多光子吸收的能量不会转化为热能，只会在材料内部引起一定深度的改性层，改性层是材料内部的裂纹区域、熔融区域或折射率变化区域。通过后续的裂片工艺，晶粒沿改性层分离。
碳化硅材料降解性差，改性层间距不宜过大。试验采用JHQ-611全自动划片机和350m厚的SiC晶片，切入22层，切入速度500mm/s，撕裂截面比较光滑，缺口边小，边缘整齐。如图4所示。
5、水导激光切割
导水激光器是将激光聚焦后导入微型水柱中，水柱直径随喷嘴孔径而异，有100~30m多种规格。利用水柱与空气界面全反射的原理，激光导入水柱后，沿水柱的前进方向传播。
水柱可以在稳定的范围内加工，长有效工作距离特别适用于厚材料的切割。传统激光切割过程中，能量的积累和传导是切割道两侧热损伤的主要原因，而水导激光在水柱的作用下，不会迅速吸收每个脉冲剩下的热量并积聚在工件上，因此切割道很干净。
基于这些优点，理论上采用水导激光切割碳化硅是一个很好的选择，但该技术难度大，相关设备成熟度不高，易损喷管制作难度大，不能精确稳定地控制微细水柱，飞溅的水滴就会烧蚀掉芯片因此，该工艺目前不适用于碳化硅晶片的制造过程。
