常温下工业碳化硅是一种半导体，属杂质导电性。随着杂质的种类和数量的不同，其电阻率在很宽的范围内变化。在常温下具有本征导电性的无杂质碳化硅目前尚未得到通过，最纯的碳化硅晶体中尚含氮1017原子/厘米3.当碳化硅晶格n中有周期表第五族元素杂质（N，P，As，Sb，Bi）和Fe，以及余硅时，晶体为n型（电子型）导电；当有第二族元素（Ca，Mg）和第三族元素（B，Al，Ga，Ln）杂质，以及盈余碳时，为P型（空穴型）导电；其中容易进入晶格并影响导电性的主要杂质是N，Al和B。
随着温度的升高，高纯度碳化硅的电阻率下降。但是含杂质碳化硅的电阻率与温度的关系有各种复杂的情况，当温度升高到1060度时碳化硅导电率达到分峰值，继续升高温度，导电性又下降。在低于室温的温度下，温度越低，碳化硅的电阻越大。
随着温度的升高，高纯度碳化硅的电阻率下降。但是含杂质碳化硅的电阻率与温度的关系有各种复杂的情况，当温度升高到1060度时碳化硅导电率达到分峰值，继续升高温度，导电性又下降。在低于室温的温度下，温度越低，碳化硅的电阻越大。
